Rohm Semiconductor SCT2280KEC
- 제조업체 부품 번호
- SCT2280KEC
- 제조업 자
- Rohm Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247
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SCT2280KEC 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SCT2280KEC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SCT2280KE | |
| 애플리케이션 노트 | SiC Power Devices and Modules | |
| 비디오 파일 | ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology | |
| 주요제품 | 2nd Generation High-Voltage SiC MOSFETs 1200 V Silicon Carbide (SiC) Diodes | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 실리콘 카바이드(SiC) | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 364m옴 @ 4A, 18V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1.4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(18V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 667pF @ 800V | |
| 전력 - 최대 | 108W | |
| 작동 온도 | 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 360 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SCT2280KEC | |
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