Rohm Semiconductor SCT2H12NZGC11
- 제조업체 부품 번호
- SCT2H12NZGC11
- 제조업 자
- Rohm Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 1700V 3.7A
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SCT2H12NZGC11 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SCT2H12NZGC11 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SCT2H12NZ | |
| 주요제품 | BD768xFJ-LB Quasi-Resonant Controllers Designed To Drive SCT2H12NZ SiC MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 실리콘 카바이드(SiC) | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1700V(1.7kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 1.1A, 18V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 900µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(18V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 184pF @ 800V | |
| 전력 - 최대 | 35W | |
| 작동 온도 | 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3PFM, SC-93-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3PFM | |
| 표준 포장 | 450 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SCT2H12NZGC11 | |
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