창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SD103BW-G3-18 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SD103xW-G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
전류 -평균 정류(Io) | 350mA(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 600mV @ 200mA | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 10ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 20V | |
정전 용량 @ Vr, F | 50pF @ 0V, 1MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 125°C | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SD103BW-G3-18 | |
관련 링크 | SD103B, SD103BW-G3-18 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
B43501G2108M80 | 1000µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 100 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43501G2108M80.pdf | ||
GRM1555C2A6R0DA01D | 6pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C2A6R0DA01D.pdf | ||
SR501C225KAA | 2.2µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.500" L x 0.200" W(12.70mm x 5.08mm) | SR501C225KAA.pdf | ||
B32529C8102J | 1000pF Film Capacitor 400V 630V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked Radial 0.287" L x 0.098" W (7.30mm x 2.50mm) | B32529C8102J.pdf | ||
0672.600MXE | FUSE GLASS 600MA 250VAC AXIAL | 0672.600MXE.pdf | ||
1PMT4133C/TR13 | DIODE ZENER 87V 1W DO216 | 1PMT4133C/TR13.pdf | ||
PA4304.564NLT | 560µH Shielded Wirewound Inductor 540mA 860 mOhm Max Nonstandard | PA4304.564NLT.pdf | ||
SCH114-391 | 390µH Unshielded Wirewound Inductor 620mA 1.3 Ohm Max Nonstandard | SCH114-391.pdf | ||
HSC250100RJ | RES CHAS MNT 100 OHM 5% 250W | HSC250100RJ.pdf | ||
AC01000002000JA100 | RES 200 OHM 1W 5% AXIAL | AC01000002000JA100.pdf | ||
CMF50649R00BEBF | RES 649 OHM 1/4W .1% AXIAL | CMF50649R00BEBF.pdf | ||
E-TA2012 T 1DB N8 | RF Attenuator 1dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 1DB N8.pdf |