창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SEK100M025ST | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SEK Type | |
카탈로그 페이지 | 1979 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | |
계열 | SEK | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 10µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 25V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 21.23옴 | |
수명 @ 온도 | 2000시간(105°C) | |
작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
분극 | - | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 50mA | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | 0.079"(2.00mm) | |
크기/치수 | 0.197" Dia(5.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.433"(11.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 338-1716 SEK100M025ST-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SEK100M025ST | |
관련 링크 | SEK100, SEK100M025ST Datasheet, Cornell Dubilier Electronics (CDE) Distributor |
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![]() | 13030-02KASLB | 100µF Hermetically Sealed Tantalum - Polymer Capacitors 40V Axial, Can 150 mOhm 0.312" Dia x 0.641" L (7.92mm x 16.28mm) | 13030-02KASLB.pdf | |
![]() | 402F37422IAR | 37.4MHz ±20ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F37422IAR.pdf | |
![]() | 416F27133CDT | 27.12MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27133CDT.pdf | |
![]() | SDUR1520 | DIODE GEN PURP 200V 15A TO220AC | SDUR1520.pdf | |
![]() | PDZ4.3B,135 | DIODE ZENER 4.3V 400MW SOD323 | PDZ4.3B,135.pdf | |
![]() | SD6030-220-R | 20.4µH Shielded Wirewound Inductor 1.57A 122 mOhm Max Nonstandard | SD6030-220-R.pdf | |
![]() | KTR10EZPJ624 | RES SMD 620K OHM 5% 1/8W 0805 | KTR10EZPJ624.pdf | |
![]() | RCWL0805R910JNEA | RES SMD 0.91 OHM 5% 1/8W 0805 | RCWL0805R910JNEA.pdf | |
![]() | Y07895K60000T9L | RES 5.6K OHM 0.3W 0.01% RADIAL | Y07895K60000T9L.pdf | |
![]() | Y00894K02000VR1R | RES 4.02K OHM 0.6W 0.005% RADIAL | Y00894K02000VR1R.pdf | |
![]() | PTGL9SAS2R2K3B51B0 | PTC Thermistor 2.2 Ohm Disc, 9.0mm Dia x 3.5mm W | PTGL9SAS2R2K3B51B0.pdf |