창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SGB15N120ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SGB15N120 | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 04/Feb/2015 Revision of Retracted Parts 06/Feb/2015 | |
PCN 설계/사양 | Imide Solder Chg 1/Sep/2008 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
IGBT 유형 | NPT | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 30A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 52A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 3.6V @ 15V, 15A | |
전력 - 최대 | 198W | |
스위칭 에너지 | 1.9mJ | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 130nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 18ns/580ns | |
테스트 조건 | 800V, 15A, 33 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | - | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SGB15N120 SGB15N120-ND SP000012560 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SGB15N120ATMA1 | |
관련 링크 | SGB15N1, SGB15N120ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | 860020372005 | 68µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | 860020372005.pdf | |
![]() | MAL202128681E3 | 680µF 63V Aluminum Capacitors Axial, Can 199 mOhm @ 100Hz 8000 Hrs @ 85°C | MAL202128681E3.pdf | |
![]() | C0402C102K5RALTU | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C102K5RALTU.pdf | |
![]() | C4532X7T2E105M250KE | 1µF 250V 세라믹 커패시터 X7T 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C4532X7T2E105M250KE.pdf | |
![]() | C0805C560G1GACTU | 56pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C560G1GACTU.pdf | |
![]() | SR201A560FAA | 56pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR201A560FAA.pdf | |
![]() | VJ1825Y123KBGAT4X | 0.012µF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825Y123KBGAT4X.pdf | |
![]() | 8Q-48.000MEEV-T | 48MHz ±10ppm 수정 8pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 8Q-48.000MEEV-T.pdf | |
![]() | SIT8008AI-23-30E-2.457600D | OSC XO 3.0V 2.4576MHZ OE | SIT8008AI-23-30E-2.457600D.pdf | |
![]() | ASEMPC-11.0592MHZ-LY-T3 | 11.0592MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | ASEMPC-11.0592MHZ-LY-T3.pdf | |
![]() | 3094-223GS | 22µH Unshielded Inductor 113mA 3.9 Ohm Max 2-SMD | 3094-223GS.pdf | |
![]() | RE0603DRE073K01L | RES SMD 3.01KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RE0603DRE073K01L.pdf |