Rohm Semiconductor SH8M11TB1
- 제조업체 부품 번호
- SH8M11TB1
- 제조업 자
- Rohm Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SH8M11TB1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 322.47080
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SH8M11TB1, we specialize in all series Rohm Semiconductor electronic components. SH8M11TB1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SH8M11TB1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SH8M11TB1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SH8M11TB1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SH8M11TB1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SH8M11 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 98m옴 @ 3.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.9nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 85pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SH8M11TB1 | |
| 관련 링크 | SH8M, SH8M11TB1 Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor | |
SH8M11TB1 의 관련 제품
.jpg) | CGA3E3C0G2E222J080AA | 2200pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E3C0G2E222J080AA.pdf | |
 | ECW-H12113JVB | 0.011µF Film Capacitor 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.335" W (18.00mm x 8.50mm) | ECW-H12113JVB.pdf | |
 | M551B398K015AG | 3900µF Hermetically Sealed Tantalum - Polymer Capacitors 15V M55 Module 15 mOhm 2.051" L x 1.992" W (52.10mm x 50.60mm) | M551B398K015AG.pdf | |
 | 24104000021 | FUSE CRTRDGE 400MA 250VAC NONSTD | 24104000021.pdf | |
 | ASVMB-11.0592MHZ-XY-T | 11.0592MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 16mA Standby (Power Down) | ASVMB-11.0592MHZ-XY-T.pdf | |
 | SS1FH6HM3/I | DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AB | SS1FH6HM3/I.pdf | |
,-SC-63.jpg) | RFD16N06LESM9A | MOSFET N-CH 60V 16A DPAK | RFD16N06LESM9A.pdf | |
.jpg) | TNPU120673K2AZEN00 | RES SMD 73.2KOHM 0.05% 1/4W 1206 | TNPU120673K2AZEN00.pdf | |
| 4308H-104-181/391L | RES NETWORK 12 RES MULT OHM 8SIP | 4308H-104-181/391L.pdf | |
 | LR2F160K | RES 160K OHM 3/4W 1% AXIAL | LR2F160K.pdf | |
| AT-901(40) | RF Attenuator 1dB ±0.7dB 0 ~ 8GHz 50 Ohm 1W | AT-901(40).pdf | |
 | 2345FB39A0050E | RF Balun 2.3GHz ~ 2.39GHz 50 / 50 Ohm 1008 (2520 Metric), 6 PC Pad | 2345FB39A0050E.pdf |
