Rohm Semiconductor SH8M4TB1
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- SH8M4TB1
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- Rohm Semiconductor
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- FET - 어레이
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- MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
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SH8M4TB1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SH8M4TB1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SP8M4 SH8M4 | |
| 제품 교육 모듈 | MOSFETs | |
| 주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
| 카탈로그 페이지 | 1634 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A, 7A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1190pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SH8M4TB1TR SP8M4TB SP8M4TBTR SP8M4TBTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SH8M4TB1 | |
| 관련 링크 | SH8M, SH8M4TB1 Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor | |
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