창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI1026X-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Si1026X | |
카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 305mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.6nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 30pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | SC-89-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI1026X-T1-GE3TR SI1026XT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI1026X-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI1026X, SI1026X-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
50MS56.8MEFCT56.3X5 | 6.8µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 85°C | 50MS56.8MEFCT56.3X5.pdf | ||
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AT-24.576MAGD-T | 24.576MHz ±30ppm 수정 11pF 50옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | AT-24.576MAGD-T.pdf | ||
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![]() | NSZD7JB2K70 | RES CERAMIC 2.7K OHM 7W 5% WW | NSZD7JB2K70.pdf | |
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