창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI1062X-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI1062X | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 420m옴 @ 500mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.7nC(8V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 43pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 220mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-89, SOT-490 | |
공급 장치 패키지 | SC-89-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI1062X-T1-GE3TR SI1062XT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI1062X-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI1062X, SI1062X-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | UPW2C470MHH | 47µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can 7000 Hrs @ 105°C | UPW2C470MHH.pdf | |
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![]() | T491S475M010AS | 4.7µF Molded Tantalum Capacitors 10V 1206 (3216 Metric) 15 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | T491S475M010AS.pdf | |
![]() | SCMS5D18-330 | 33µH Shielded Inductor 800mA 556 mOhm Max Nonstandard | SCMS5D18-330.pdf | |
![]() | 1110-560K-RC | 56µH Unshielded Wirewound Inductor 2.8A 69 mOhm Max Radial | 1110-560K-RC.pdf | |
![]() | MCR18EZHF2550 | RES SMD 255 OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18EZHF2550.pdf | |
![]() | RT1210FRD071K21L | RES SMD 1.21K OHM 1% 1/4W 1210 | RT1210FRD071K21L.pdf | |
![]() | CMF701K0000FHEA | RES 1K OHM 1.75W 1% AXIAL | CMF701K0000FHEA.pdf |