Vishay BC Components SI1965DH-T1-GE3

SI1965DH-T1-GE3
제조업체 부품 번호
SI1965DH-T1-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
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내부 부품 번호EIS-SI1965DH-T1-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SI1965DH
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 P-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)12V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1.3A
Rds On(최대) @ Id, Vgs390m옴 @ 1A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs4.2nC(8V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds120pF @ 6V
전력 - 최대1.25W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지SC-70-6(SOT-363)
표준 포장 3,000
다른 이름SI1965DH-T1-GE3TR
SI1965DHT1GE3
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)SI1965DH-T1-GE3
관련 링크SI1965D, SI1965DH-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor
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