창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI2306BDS-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Si2306BDS | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.16A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 47m옴 @ 3.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.5nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 305pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 750mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI2306BDS-T1-E3TR SI2306BDST1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI2306BDS-T1-E3 | |
관련 링크 | SI2306B, SI2306BDS-T1-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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02013A1R3CAT2A | 1.3pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | 02013A1R3CAT2A.pdf | ||
VJ1812Y821JBEAT4X | 820pF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y821JBEAT4X.pdf | ||
AQ147A300JAJWE | 30pF 500V 세라믹 커패시터 A 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ147A300JAJWE.pdf | ||
PTR060V0250-BK | PTC RESETTABLE RADIAL 60V 2.5A | PTR060V0250-BK.pdf | ||
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1204F-050 | LC (Pi) EMI Filter 3rd Order Low Pass 1 Channel C = 3000pF 25A Axial, Eyelet - Hook Lead | 1204F-050.pdf | ||
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