Vishay BC Components SI2316DS-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SI2316DS-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI2316DS-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 322.47067
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI2316DS-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI2316DS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2316DS-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI2316DS-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI2316DS-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI2316DS-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SI2316DS | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.9A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 3.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 800mV @ 250µA(최소) | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 215pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI2316DS-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI2316D, SI2316DS-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SI2316DS-T1-GE3 의 관련 제품
 | A273K20X7RL5UAA | 0.027µF 500V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.118" Dia x 0.197" L(3.00mm x 5.00mm) | A273K20X7RL5UAA.pdf | |
 | BFC247990028 | 0.75µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.335" W (26.00mm x 8.50mm) | BFC247990028.pdf | |
 | TAJV107K025RNJ | 100µF Molded Tantalum Capacitors 25V 2924 (7361 Metric) 400 mOhm 0.287" L x 0.240" W (7.30mm x 6.10mm) | TAJV107K025RNJ.pdf | |
| 1N5342BE3/TR13 | DIODE ZENER 6.8V 5W T18 | 1N5342BE3/TR13.pdf | |
| RN1409,LF(B | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI | RN1409,LF(B.pdf | |
 | MLG1005SR33JTD25 | 330nH Unshielded Multilayer Inductor 50mA 7 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | MLG1005SR33JTD25.pdf | |
| 2534R-56J | 22mH Unshielded Molded Inductor 34mA 145 Ohm Max Radial | 2534R-56J.pdf | |
 | RG2012N-1132-D-T5 | RES SMD 11.3K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012N-1132-D-T5.pdf | |
 | CRCW020113K3FNED | RES SMD 13.3K OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW020113K3FNED.pdf | |
| CMF651M8700FHEB | RES 1.87M OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF651M8700FHEB.pdf | |
 | CMF55158K00DHBF | RES 158K OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF55158K00DHBF.pdf | |
 | PE43711B-Z | RF Attenuator 31.5dB @ 9kHz ~ 6GHz ±0.25dB 9kHz ~ 6GHz 50 Ohm 24-VFQFN Exposed Pad | PE43711B-Z.pdf |
