창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI2316DS-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI2316DS | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.9A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 3.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 800mV @ 250µA(최소) | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 215pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 700mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI2316DS-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI2316D, SI2316DS-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | VJ0805D201GLXAR | 200pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D201GLXAR.pdf | |
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![]() | TH3A475M020E5000 | 4.7µF Molded Tantalum Capacitors 20V 1206 (3216 Metric) 5 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | TH3A475M020E5000.pdf | |
![]() | P4KE75A-E3/73 | TVS DIODE 64.1VWM 103VC AXIAL | P4KE75A-E3/73.pdf | |
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![]() | RG1005V-3160-P-T1 | RES SMD 316 OHM 0.02% 1/16W 0402 | RG1005V-3160-P-T1.pdf | |
![]() | E3T-SR41R-S 2M | PHOTOELECTRIC SENSOR | E3T-SR41R-S 2M.pdf |