창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI2318CDS-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Si2318CDS | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 42밀리옴 @ 4.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 340pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 2.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI2318CDS-T1-GE3TR SI2318CDST1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI2318CDS-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI2318CD, SI2318CDS-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | ECH-U1H151JX5 | 150pF Film Capacitor 50V Polyphenylene Sulfide (PPS), Metallized - Stacked 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) | ECH-U1H151JX5.pdf | |
![]() | 298D475X06R3M2T | 4.7µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 0603 (1608 Metric) 3 Ohm 0.063" L x 0.033" W (1.60mm x 0.85mm) | 298D475X06R3M2T.pdf | |
![]() | 416F44022CDT | 44MHz ±20ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F44022CDT.pdf | |
![]() | 3EZ160D10E3/TR12 | DIODE ZENER 160V 3W DO204AL | 3EZ160D10E3/TR12.pdf | |
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![]() | IRG4PH20KPBF | IGBT 1200V 11A 60W TO247AC | IRG4PH20KPBF.pdf | |
![]() | LQP03TNR16H02D | 160nH Unshielded Thin Film Inductor 70mA 11 Ohm Max 0201 (0603 Metric) | LQP03TNR16H02D.pdf | |
![]() | ERJ-S02F9763X | RES SMD 976K OHM 1% 1/10W 0402 | ERJ-S02F9763X.pdf | |
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