Vishay BC Components SI2329DS-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SI2329DS-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI2329DS-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 222.39360
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI2329DS-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI2329DS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2329DS-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI2329DS-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI2329DS-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI2329DS-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SI2329DS-T1-GE3 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 8V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 5.3A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 800mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1485pF @ 4V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI2329DS-T1-GE3-ND SI2329DS-T1-GE3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI2329DS-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI2329D, SI2329DS-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SI2329DS-T1-GE3 의 관련 제품
 | MAL216065102E3 | 1000µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 150°C | MAL216065102E3.pdf | |
 | VJ0805D2R7CXPAP | 2.7pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D2R7CXPAP.pdf | |
-2.jpg) | LD08GA100JAB1A | 10pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | LD08GA100JAB1A.pdf | |
 | P278QS223M480A | 0.022µF Film Capacitor 480V 1000V (1kV) Paper, Metallized Radial 0.728" L x 0.335" W (18.50mm x 8.50mm) | P278QS223M480A.pdf | |
| MKP383175063JCA2B0 | 750pF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.118" W (10.00mm x 3.00mm) | MKP383175063JCA2B0.pdf | |
| MKP383343063JF02W0 | 0.43µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.236" W (17.50mm x 6.00mm) | MKP383343063JF02W0.pdf | |
 | APT20SCD65K | DIODE SILICON 650V 32A TO220 | APT20SCD65K.pdf | |
 | MMSZ47T3G | DIODE ZENER 47V 500MW SOD123 | MMSZ47T3G.pdf | |
| EAIST1708A1 | Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 65mA 0.2mW/sr @ 20mA 140° 2-SMD, No Lead | EAIST1708A1.pdf | |
 | RNCF0603BTC316R | RES SMD 316 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RNCF0603BTC316R.pdf | |
 | PAT0805E6420BST1 | RES SMD 642 OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E6420BST1.pdf | |
 | RCP1206B470RJEB | RES SMD 470 OHM 5% 11W 1206 | RCP1206B470RJEB.pdf |
