창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI3442BDV-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI3442BDV | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 57m옴 @ 4A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.8V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 295pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 860mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI3442BDV-T1-E3TR SI3442BDVT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI3442BDV-T1-E3 | |
관련 링크 | SI3442B, SI3442BDV-T1-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | DSC8123AI2-PROGRAMMABLE | 10MHz ~ 460MHz LVDS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 32mA Enable/Disable | DSC8123AI2-PROGRAMMABLE.pdf | |
DSEI12-06A | DIODE GEN PURP 600V 14A TO220AC | DSEI12-06A.pdf | ||
![]() | LQG18HN27NJ00D | 27nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 550 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | LQG18HN27NJ00D.pdf | |
![]() | AT0603DRD079K31L | RES SMD 9.31KOHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRD079K31L.pdf | |
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![]() | TNPW251284K5BETG | RES SMD 84.5K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW251284K5BETG.pdf | |
![]() | 4114R-2-273 | RES ARRAY 13 RES 27K OHM 14DIP | 4114R-2-273.pdf | |
![]() | Y00079K00000T9L | RES 9K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y00079K00000T9L.pdf | |
![]() | OPB890T55Z | SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS THRU | OPB890T55Z.pdf |