창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI3483CDV-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI3483CDV | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 34m옴 @ 6.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 33nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1000pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 4.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI3483CDV-T1-GE3TR SI3483CDVT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI3483CDV-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI3483CD, SI3483CDV-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | C0402C471J4RACTU | 470pF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C471J4RACTU.pdf | |
![]() | VJ0805D120JLAAP | 12pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D120JLAAP.pdf | |
![]() | 416F360X3ILR | 36MHz ±15ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F360X3ILR.pdf | |
![]() | C358N | THYRISTOR SCR 140A 800V TO-200AB | C358N.pdf | |
![]() | TSL1112RA-100M3R7-PF | 10µH Unshielded Inductor 3.7A 25 mOhm Max Radial | TSL1112RA-100M3R7-PF.pdf | |
![]() | RN73C1E1K0BTD | RES SMD 1K OHM 0.1% 1/16W 0402 | RN73C1E1K0BTD.pdf | |
![]() | AA0805FR-0739K2L | RES SMD 39.2K OHM 1% 1/8W 0805 | AA0805FR-0739K2L.pdf | |
![]() | RG2012N-59R0-W-T1 | RES SMD 59 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-59R0-W-T1.pdf | |
![]() | CRCW08052R70JNTB | RES SMD 2.7 OHM 5% 1/8W 0805 | CRCW08052R70JNTB.pdf |