Vishay BC Components SI3493BDV-T1-GE3

SI3493BDV-T1-GE3
제조업체 부품 번호
SI3493BDV-T1-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
Datesheet 다운로드
다운로드
SI3493BDV-T1-GE3 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 256.49395
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SI3493BDV-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI3493BDV-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3493BDV-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SI3493BDV-T1-GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SI3493BDV-T1-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SI3493BDV-T1-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SI3493BDV
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C8A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs27.5m옴 @ 7A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)900mV @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs43.5nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1805pF @ 10V
전력 - 최대2.97W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급 장치 패키지6-TSOP
표준 포장 3,000
다른 이름SI3493BDV-T1-GE3TR
SI3493BDVT1GE3
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SI3493BDV-T1-GE3
관련 링크SI3493BD, SI3493BDV-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor
SI3493BDV-T1-GE3 의 관련 제품
390µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 249 mOhm @ 120Hz 5000 Hrs @ 85°C E92F451VSN391MA40T.pdf
150000µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 8 mOhm @ 100Hz 20000 Hrs @ 85°C MAL210648154E3.pdf
10pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) 102S42E100FV4E.pdf
0.022µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) F339MX232231MFI2B0.pdf
120µF Hermetically Sealed Tantalum - Polymer Capacitors 50V Axial, Can 90 mOhm 0.312" Dia x 0.641" L (7.92mm x 16.28mm) T551B127M050AH.pdf
40MHz ±10ppm 수정 12pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F40011ALT.pdf
DIODE HYPERFAST 8A D2PAK VS-8ETL06STRRPBF.pdf
DIODE SCHOTTKY RF QD 70V SOT143 HSMS-2808-BLKG.pdf
DIODE ZENER 9.1V 1W DO204AL 1N4739A G.pdf
RES SMD 309 OHM 0.25% 1/16W 0402 ERA-2ARC3090X.pdf
RES SMD 6.04 OHM 0.1% 1/8W 0805 RT0805BRD076R04L.pdf
RES SMD 68 OHM 5% 3W 6227 SM6227JT68R0.pdf