창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI3590DV-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI3590DV | |
카탈로그 페이지 | 1661 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A, 1.7A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 77m옴 @ 3A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 830mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI3590DV-T1-E3TR SI3590DVT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI3590DV-T1-E3 | |
관련 링크 | SI3590D, SI3590DV-T1-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | EET-HC2G331JA | 330µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 553 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | EET-HC2G331JA.pdf | |
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![]() | PM0603-39NJ-RC | 39nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 250 mOhm 0603 (1608 Metric) | PM0603-39NJ-RC.pdf | |
![]() | S4924R-152J | 1.5µH Shielded Inductor 1.78A 120 mOhm Max Nonstandard | S4924R-152J.pdf | |
![]() | ATCA-06-132M-H | 1.3mH Unshielded Toroidal Inductor 1A 585 mOhm Max Radial | ATCA-06-132M-H.pdf | |
![]() | CRGV2512F2M87 | RES SMD 2.87M OHM 1% 1W 2512 | CRGV2512F2M87.pdf | |
![]() | RN73C2A14K7BTD | RES SMD 14.7KOHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A14K7BTD.pdf | |
![]() | SMW51R1JT | RES SMD 1.1 OHM 5% 5W 5329 | SMW51R1JT.pdf | |
![]() | 4610X-102-684LF | RES ARRAY 5 RES 680K OHM 10SIP | 4610X-102-684LF.pdf | |
![]() | Y1747V0435QT9R | RES ARRAY 4 RES MULT OHM 8SOIC | Y1747V0435QT9R.pdf |