Vishay BC Components SI4160DY-T1-GE3

SI4160DY-T1-GE3
제조업체 부품 번호
SI4160DY-T1-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC
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내부 부품 번호EIS-SI4160DY-T1-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SI4160DY
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 조립/원산지Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C25.4A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs4.9m옴 @ 15A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs54nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2071pF @ 15V
전력 - 최대5.7W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 2,500
다른 이름SI4160DY-T1-GE3-ND
SI4160DY-T1-GE3TR
SI4160DYT1GE3
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)SI4160DY-T1-GE3
관련 링크SI4160D, SI4160DY-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor
SI4160DY-T1-GE3 의 관련 제품
MICA CDS15ED200JO3.pdf
FUSE CERAMIC 1A 250VAC 5X20MM 0216001.H.pdf
4 Line Common Mode Choke Through Hole 170 Ohm @ 100MHz 20A DCR 1 mOhm CM5740Z171B-10.pdf
8.2mH Unshielded Molded Inductor 130mA 20.8 Ohm Max Axial 2474-48K.pdf
820nH Shielded Molded Inductor 33A 1.9 mOhm Max Nonstandard IHLP5050FDERR82M01.pdf
RES CHAS MNT 10 OHM 1% 50W RH05010R00FC02.pdf
RES SMD 22.1K OHM 1% 1/10W 0603 CRG0603F22K1.pdf
RES SMD 1.96KOHM 0.25% 1/4W 1210 RT1210CRB071K96L.pdf
RES SMD 14K OHM 0.01% 0.3W 1206 Y162514K0000T9R.pdf
RES ARRAY 4 RES MULT OHM 8SOIC Y1747V0180QT9R.pdf
RES 200 OHM 1/2W 5% CARBON FILM CF12JT200R.pdf
ENCODER ROTARY PEC12R-4017F-S0024.pdf