창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4166DY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI4166DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.9m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 65nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2730pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 6.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4166DY-T1-GE3-ND SI4166DY-T1-GE3TR SI4166DYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI4166DY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4166D, SI4166DY-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
![]() | 157XMPL004MG197 | 150µF 4V Aluminum - Polymer Capacitors 2917 (7343 Metric) 663.1 mOhm 1000 Hrs @ 105°C | 157XMPL004MG197.pdf | |
![]() | 450BXW180MEFC18X50 | 180µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | 450BXW180MEFC18X50.pdf | |
![]() | CEU4J2X7R2A332M125AE | 3300pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CEU4J2X7R2A332M125AE.pdf | |
![]() | GRM0225C1E5R2BA03L | 5.2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GRM0225C1E5R2BA03L.pdf | |
![]() | SR201C683KARTR2 | 0.068µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR201C683KARTR2.pdf | |
![]() | AB-24.576MHZ-B2F | 24.576MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/U | AB-24.576MHZ-B2F.pdf | |
![]() | P0250.334NLT | 330µH Unshielded Wirewound Inductor 1A 560 mOhm Max Nonstandard | P0250.334NLT.pdf | |
![]() | ASPI-0615FS-3R3N-T2 | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 2.8A 30 mOhm Nonstandard | ASPI-0615FS-3R3N-T2.pdf | |
![]() | ERJ-14NF3653U | RES SMD 365K OHM 1% 1/2W 1210 | ERJ-14NF3653U.pdf | |
![]() | ERJ-S03F8061V | RES SMD 8.06K OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-S03F8061V.pdf | |
![]() | RT1206CRC071K15L | RES SMD 1.15KOHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRC071K15L.pdf | |
![]() | CP0805A1441AWTR | RF Directional Coupler PDC 1.429GHz ~ 1.453GHz 12 ± 1dB 3W 0805 (2012 Metric) | CP0805A1441AWTR.pdf |