창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4166DY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI4166DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.9m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 65nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2730pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 6.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4166DY-T1-GE3-ND SI4166DY-T1-GE3TR SI4166DYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI4166DY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4166D, SI4166DY-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
LGU1E123MELB | 12000µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | LGU1E123MELB.pdf | ||
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![]() | TNPU080552K3AZEN00 | RES SMD 52.3KOHM 0.05% 1/8W 0805 | TNPU080552K3AZEN00.pdf | |
![]() | CF14JT2K00 | RES 2K OHM 1/4W 5% CARBON FILM | CF14JT2K00.pdf | |
![]() | RNF14DTC26R7 | RES 26.7 OHM 1/4W .5% AXIAL | RNF14DTC26R7.pdf | |
![]() | P51-75-G-G-D-5V-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Vented Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-75-G-G-D-5V-000-000.pdf |