Vishay BC Components SI4200DY-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SI4200DY-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI4200DY-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 268.72560
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI4200DY-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI4200DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4200DY-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI4200DY-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI4200DY-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI4200DY-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SI4200DY-T1-GE3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25m옴 @ 7.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 415pF @ 13V | |
| 전력 - 최대 | 2.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI4200DY-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI4200D, SI4200DY-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SI4200DY-T1-GE3 의 관련 제품
 | EKMM201VSN122MR40W | 1200µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | EKMM201VSN122MR40W.pdf | |
 | FG18X7R1H474KRT06 | 0.47µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FG18X7R1H474KRT06.pdf | |
-Kemet.jpg) | C1206C131J1GACTU | 130pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C131J1GACTU.pdf | |
.jpg) | 102S42E9R1BV4E | 9.1pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 102S42E9R1BV4E.pdf | |
| ECW-H12103RJV | 10000pF Film Capacitor 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.315" W (18.00mm x 8.00mm) | ECW-H12103RJV.pdf | |
| CDV30FK561FO3F | MICA | CDV30FK561FO3F.pdf | |
| FRN-R-15/100 | FUSE TRON DUAL-ELEMENT | FRN-R-15/100.pdf | |
 | TA-16.384MBD-T | 16.384MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 25mA Enable/Disable | TA-16.384MBD-T.pdf | |
 | AC05000001009JAC00 | RES 10 OHM 5W 5% AXIAL | AC05000001009JAC00.pdf | |
 | CW001270R0JE70 | RES 270 OHM 5% AXIAL | CW001270R0JE70.pdf | |
 | MIKROE-295 | RFID Tag 125kHz Card | MIKROE-295.pdf | |
| E2AX-M12KS04-M1-B2 | Inductive Proximity Sensor 0.157" (4mm) IP65 Cylinder, Threaded - M12 | E2AX-M12KS04-M1-B2.pdf |
