창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4410DYTRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI4410DYPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1518 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13.5m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1585pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | SI4410DYPBFTR SI4410DYTRPBF-ND SI4410DYTRPBFTR-ND SP001563088 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI4410DYTRPBF | |
관련 링크 | SI4410, SI4410DYTRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | ATV02W300B-HF | TVS DIODE 30VWM 48.4VC SOD-123 | ATV02W300B-HF.pdf | |
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![]() | 1945-01F | 2.7µH Unshielded Molded Inductor 1.6A 110 mOhm Max Axial | 1945-01F.pdf | |
![]() | RR0510P-1782-D | RES SMD 17.8KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RR0510P-1782-D.pdf | |
![]() | RCL0406590KFKEA | RES SMD 590K OHM 1/4W 0604 WIDE | RCL0406590KFKEA.pdf | |
![]() | MMF-50BRD12K | RES SMD 12K OHM 0.1% 1/2W MELF | MMF-50BRD12K.pdf | |
![]() | Y11699K70000T0R | RES SMD 9.7K OHM 0.6W 3017 | Y11699K70000T0R.pdf | |
![]() | CRCW0603102KFKEAHP | RES SMD 102K OHM 1% 1/4W 0603 | CRCW0603102KFKEAHP.pdf | |
![]() | 752203331GP | RES ARRAY 10 RES 330 OHM 20DRT | 752203331GP.pdf | |
![]() | RSF2GB1K20 | RES MO 2W 1.2K OHM 2% AXIAL | RSF2GB1K20.pdf |