Vishay BC Components SI4421DY-T1-E3

SI4421DY-T1-E3
제조업체 부품 번호
SI4421DY-T1-E3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
Datesheet 다운로드
다운로드
SI4421DY-T1-E3 가격 및 조달

가능 수량

8650 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 745.75987
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SI4421DY-T1-E3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI4421DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4421DY-T1-E3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SI4421DY-T1-E3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SI4421DY-T1-E3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SI4421DY-T1-E3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SI4421DY
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
카탈로그 페이지 1660 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C10A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8.75m옴 @ 14A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)800mV @ 850µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs125nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds-
전력 - 최대1.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 2,500
다른 이름SI4421DY-T1-E3TR
SI4421DYT1E3
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SI4421DY-T1-E3
관련 링크SI4421D, SI4421DY-T1-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor
SI4421DY-T1-E3 의 관련 제품
390µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 610 mOhm @ 100Hz 2000 Hrs @ 105°C MAL215942391E3.pdf
4700µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 2000 Hrs @ 85°C LNY2W472MSEH.pdf
1500pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) K152M15X7RH5UH5.pdf
5.1pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) VJ0603D5R1DLCAP.pdf
6F Supercap 2.7V Radial, Can 40 mOhm @ 100Hz 1000 Hrs @ 65°C 0.315" Dia (8.00mm) HV0830-2R7605-R.pdf
FUSE CRTRDGE 250A 600VAC/300VDC LSRK250.X.pdf
8.912MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US 9C-8.912MAAJ-T.pdf
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 BUK98150-55A/CUF.pdf
27µH Shielded Inductor 88mA 5.8 Ohm Max Nonstandard 1331-273K.pdf
RES SMD 4.02KOHM 0.1% 1/16W 0402 RN73C1E4K02BTD.pdf
RES 10M OHM 1W 1% AXIAL CMF6010M000FKEB112.pdf
RF Amplifier IC DBS 2.8GHz ~ 3.2GHz 6-SuperMiniMold UPC3224TB-E3-A.pdf