Vishay BC Components SI4431BDY-T1-GE3

SI4431BDY-T1-GE3
제조업체 부품 번호
SI4431BDY-T1-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC
Datesheet 다운로드
다운로드
SI4431BDY-T1-GE3 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 553.51280
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SI4431BDY-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI4431BDY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4431BDY-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SI4431BDY-T1-GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SI4431BDY-T1-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SI4431BDY-T1-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SI4431BDY
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C5.7A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs30m옴 @ 7.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs20nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds-
전력 - 최대1.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 2,500
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SI4431BDY-T1-GE3
관련 링크SI4431BD, SI4431BDY-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor
SI4431BDY-T1-GE3 의 관련 제품
2200µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 121 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 105°C SLP222M100H3P3.pdf
8pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) GRM1885C1H8R0DZ01D.pdf
0.015µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked Radial 0.283" L x 0.098" W (7.20mm x 2.50mm) B32529C3153J289.pdf
0.47µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 20V 1106 (2815 Metric) 0.110" L x 0.059" W (2.80mm x 1.50mm) 195D474X9020A2T.pdf
20MHz Clipped Sine Wave TCXO Oscillator Surface Mount 2.8V 2mA 520T10HT20M0000.pdf
250MHz LVDS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 32mA Standby (Power Down) DSC1103AI2-250.0000T.pdf
470nH Unshielded Inductor 545mA 320 mOhm Max 1812 (4532 Metric) 3613CR47M.pdf
100µH Unshielded Wirewound Inductor 110mA 8 Ohm Max 1812 (4532 Metric) IMC1812ES101J.pdf
RES SMD 2.4M OHM 5% 1W 2010 CRGH2010J2M4.pdf
RES SMD 137 OHM 0.25% 1/16W 0402 AT0402CRD07137RL.pdf
RES SMD 1K OHM 1% 1W 2615 SM2615FT1K00.pdf
RES 806 OHM 1/2W 0.1% AXIAL H4806RBCA.pdf