Vishay BC Components SI4447DY-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SI4447DY-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI4447DY-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 311.35104
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI4447DY-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI4447DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4447DY-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI4447DY-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI4447DY-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI4447DY-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SI4447DY | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 72m옴 @ 4.5A, 15V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 805pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 1.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SI4447DY-T1-GE3TR SI4447DYT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI4447DY-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI4447D, SI4447DY-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SI4447DY-T1-GE3 의 관련 제품
 | CBR06C360F1GAC | 36pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CBR06C360F1GAC.pdf | |
 | 445W33J12M00000 | 12MHz ±30ppm 수정 9pF 50옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W33J12M00000.pdf | |
 | CSX-252FAE27000000T | 27MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 7mA Standby (Power Down) | CSX-252FAE27000000T.pdf | |
 | SIT8918AA-13-33E-16.00000E | OSC XO 3.3V 16MHZ OE | SIT8918AA-13-33E-16.00000E.pdf | |
| KBPC3502-G | RECTIFIER BRIDGE 35A 200V KBPC | KBPC3502-G.pdf | |
 | SBR20A100CTFP | DIODE ARRAY SBR 100V 10A ITO220 | SBR20A100CTFP.pdf | |
| VS-VSKD320-08PBF | DIODE GEN 800V 160A MAGNAPAK | VS-VSKD320-08PBF.pdf | |
 | BZX84-C75,215 | DIODE ZENER 75V 250MW SOT23 | BZX84-C75,215.pdf | |
 | CRCW120643K0JNEA | RES SMD 43K OHM 5% 1/4W 1206 | CRCW120643K0JNEA.pdf | |
| Y14961K00000Q0R | RES SMD 1K OHM 0.02% 0.15W 1206 | Y14961K00000Q0R.pdf | |
 | CPCF0539K00JB32 | RES 39K OHM 5W 5% RADIAL | CPCF0539K00JB32.pdf | |
 | SI1084-A-GMR | IC RF TxRx + MCU General ISM < 1GHz 283MHz ~ 350MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 960MHz 36-WFQFN Exposed Pad | SI1084-A-GMR.pdf |
