Silicon Labs SI4460-B1B-FM
- 제조업체 부품 번호
- SI4460-B1B-FM
- 제조업 자
- Silicon Labs
- 제품 카테고리
- RF 트랜시버 IC
- 간단한 설명
- IC RF TxRx + MCU General ISM < 1GHz 119MHz ~ 1.05GHz 20-VFQFN Exposed Pad
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI4460-B1B-FM 가격 및 조달
가능 수량
2897 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,694.53300
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI4460-B1B-FM, we specialize in all series Silicon Labs electronic components. SI4460-B1B-FM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4460-B1B-FM, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI4460-B1B-FM 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI4460-B1B-FM 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI4460-B1B-FM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | Si4464,63,61,60 Wireless Product Selector Guide Si4x6x-B1B and Si4438-B1C Errata | |
| 주요제품 | Internet of Things | |
| PCN 설계/사양 | PB-1412051 05/Dec/2014 | |
| PCN 포장 | PB-1412244 24/Dec/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | RF/IF 및 RFID | |
| 제품군 | RF 트랜시버 IC | |
| 제조업체 | Silicon Labs | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 트레이 | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | TxRx + MCU | |
| RF 제품군/표준 | 일반 ISM < 1GHz | |
| 프로토콜 | - | |
| 변조 | 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK | |
| 주파수 | 119MHz ~ 1.05GHz | |
| 데이터 전송률(최대) | 1Mbps | |
| 전력 - 출력 | 13dBm(최대) | |
| 감도 | -126dBm | |
| 메모리 크기 | - | |
| 직렬 인터페이스 | SPI | |
| GPIO | 4 | |
| 전압 - 공급 | 1.8 V ~ 3.6 V | |
| 전류 - 수신 | 10.7mA ~ 13.7mA | |
| 전류 - 전송 | 18mA | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 패키지/케이스 | 20-VFQFN 노출형 패드 | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | 336-2470-5 SI4460-B1B-FM-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI4460-B1B-FM | |
| 관련 링크 | SI4460, SI4460-B1B-FM Datasheet, Silicon Labs Distributor | |
SI4460-B1B-FM 의 관련 제품
 | GCM0335C1E5R4DD03D | 5.4pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GCM0335C1E5R4DD03D.pdf | |
 | R76QI23304040J | 0.033µF Film Capacitor 600V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.295" W (18.00mm x 7.50mm) | R76QI23304040J.pdf | |
 | QYS1H102KTP | 1000pF Film Capacitor 50V Polyester Radial 0.197" L x 0.118" W (5.00mm x 3.00mm) | QYS1H102KTP.pdf | |
 | P4SMA27AHE3/5A | TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC SMA | P4SMA27AHE3/5A.pdf | |
 | ATS196B-E | 19.6608MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 스루홀 HC49/US | ATS196B-E.pdf | |
 | 407F35D020M0000 | 20MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 407F35D020M0000.pdf | |
 | UG4B-E3/73 | DIODE GEN PURP 100V 4A DO201AD | UG4B-E3/73.pdf | |
| CNY117-2X007T | Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-SMD | CNY117-2X007T.pdf | |
.jpg) | RT0603CRE07301KL | RES SMD 301KOHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRE07301KL.pdf | |
 | RC55Y-1K82BI | RES 1.82K OHM 0.25W 0.1% AXIAL | RC55Y-1K82BI.pdf | |
| MBA02040C3901DC100 | RES 3.9K OHM 0.4W 0.5% AXIAL | MBA02040C3901DC100.pdf | |
 | WW1AFT6K19 | RES 6.19K OHM 1W 1% AXIAL | WW1AFT6K19.pdf |
