창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4464DY-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI4464DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.7A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 240m옴 @ 2.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4464DY-T1-E3TR SI4464DYT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI4464DY-T1-E3 | |
관련 링크 | SI4464D, SI4464DY-T1-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | C1206L475M4PACTU | 4.7µF 16V 세라믹 커패시터 X5R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206L475M4PACTU.pdf | |
![]() | PTCCL13H451FTE | THERMISTOR 3.8 OHM 145V PTC | PTCCL13H451FTE.pdf | |
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![]() | RC0603FR-0720KL | RES SMD 20K OHM 1% 1/10W 0603 | RC0603FR-0720KL.pdf | |
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![]() | CRG0603F22K/10 | RES SMD 22K OHM 1% 1/10W 0603 | CRG0603F22K/10.pdf | |
![]() | HRG3216P-1542-B-T1 | RES SMD 15.4K OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-1542-B-T1.pdf | |
![]() | MLH010BGG14B | Pressure Sensor 145.04 PSI (1000 kPa) Vented Gauge Male - 1/4" (6.35mm) BSP 4 mA ~ 20 mA Cylinder, Metal | MLH010BGG14B.pdf |