창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4491EDY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI4491EDY-T1-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17.3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 153nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4620pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 6.9W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI4491EDY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4491ED, SI4491EDY-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
FK16X7R2A333K | 0.033µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.217" L x 0.138" W(5.50mm x 3.50mm) | FK16X7R2A333K.pdf | ||
SR211C333MAR | 0.033µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR211C333MAR.pdf | ||
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C921U561KZYDCAWL45 | 560pF 440VAC 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.354" Dia(9.00mm) | C921U561KZYDCAWL45.pdf | ||
FXO-HC736-23.9 | 23.9MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 35mA Enable/Disable | FXO-HC736-23.9.pdf | ||
DSC8121AI5 | 10MHz ~ 100MHz CMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | DSC8121AI5.pdf | ||
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RMCF1210JT1K80 | RES SMD 1.8K OHM 5% 1/3W 1210 | RMCF1210JT1K80.pdf | ||
TNPU0603200RBZEN00 | RES SMD 200 OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPU0603200RBZEN00.pdf | ||
RSF2FT1K00 | RES MO 2W 1K OHM 1% AXIAL | RSF2FT1K00.pdf | ||
Y0926100R000F9L | RES 100 OHM 8W 1% TO220-4 | Y0926100R000F9L.pdf | ||
AT-112V | RF Attenuator 12dB ±1.25dB 0 ~ 18GHz 50 Ohm 2W SMA In-Line Module | AT-112V.pdf |