창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4532CDY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI4532CDY | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A, 4.3A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 47m옴 @ 3.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 305pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.78W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4532CDY-T1-GE3-ND SI4532CDY-T1-GE3TR SI4532CDYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI4532CDY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4532CD, SI4532CDY-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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BZV55C2V4 | DIODE ZENER 2.4V DO213AA | BZV55C2V4.pdf | ||
![]() | BSC076N06NS3GATMA1 | MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 | BSC076N06NS3GATMA1.pdf | |
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![]() | G6SU-2 DC5 | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Through Hole | G6SU-2 DC5.pdf | |
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