Vishay BC Components SI4622DY-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SI4622DY-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI4622DY-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,167.56640
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI4622DY-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI4622DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4622DY-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI4622DY-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI4622DY-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI4622DY-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SI4622DY | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | SkyFET®, TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 9.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2458pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 3.3W, 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SI4622DY-T1-GE3TR SI4622DYT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI4622DY-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI4622D, SI4622DY-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SI4622DY-T1-GE3 의 관련 제품
 | 250PK4.7MEFCTA6.3X11 | 4.7µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | 250PK4.7MEFCTA6.3X11.pdf | |
 | MLP561M300EB1D | 560µF 300V Aluminum Capacitors FlatPack, Tabbed 240 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | MLP561M300EB1D.pdf | |
 | K471J10C0GH5TL2 | 470pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K471J10C0GH5TL2.pdf | |
 | V9MLA0805LNA | VARISTOR 13.5V 40A 0805 | V9MLA0805LNA.pdf | |
 | 416F384X2IDT | 38.4MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F384X2IDT.pdf | |
-2.50-mm-x-2.00-mm.jpg) | DSC1001DE1-054.0000T | 54MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 7.2mA Standby (Power Down) | DSC1001DE1-054.0000T.pdf | |
 | 520M20DA38M4000 | 38.4MHz Clipped Sine Wave VCTCXO Oscillator Surface Mount 1.8V 2.5mA | 520M20DA38M4000.pdf | |
 | DOC052V-020.0M | 20MHz LVCMOS VCOCXO Oscillator Surface Mount 3.3V | DOC052V-020.0M.pdf | |
| C4SMG-RJF-CS14QBB1 | Red 621nm LED Indication - Discrete 2.1V Radial | C4SMG-RJF-CS14QBB1.pdf | |
 | IMC1812RV180K | 18µH Unshielded Wirewound Inductor 190mA 2.8 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812RV180K.pdf | |
 | RNF14FTC23R7 | RES 23.7 OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTC23R7.pdf | |
 | CPR0511R00JE31 | RES 11 OHM 5W 5% RADIAL | CPR0511R00JE31.pdf |
