Vishay BC Components SI4632DY-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SI4632DY-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI4632DY-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,434.43880
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI4632DY-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI4632DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4632DY-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI4632DY-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI4632DY-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI4632DY-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SI4632DY | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.6V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 161nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11175pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 7.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI4632DY-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI4632D, SI4632DY-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SI4632DY-T1-GE3 의 관련 제품
 | LXY10VB272M12X30LL | 2700µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 7000 Hrs @ 105°C | LXY10VB272M12X30LL.pdf | |
 | TAJD225M050HNJ | 2.2µF Molded Tantalum Capacitors 50V 2917 (7343 Metric) 2.5 Ohm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TAJD225M050HNJ.pdf | |
 | SMA5J10AHE3/5A | TVS DIODE 10VWM 17VC SMA | SMA5J10AHE3/5A.pdf | |
 | FA-128 24.0000MF10Z-AJ3 | 24MHz ±10ppm 수정 8pF 80옴 -20°C ~ 75°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-128 24.0000MF10Z-AJ3.pdf | |
| SIT1602AI-22-18E-25.000000E | OSC XO 1.8V 25MHZ | SIT1602AI-22-18E-25.000000E.pdf | |
 | 1N5939PE3/TR12 | DIODE ZENER 39V 1.5W DO204AL | 1N5939PE3/TR12.pdf | |
 | IXFT14N80P | MOSFET N-CH 800V 14A TO-268 | IXFT14N80P.pdf | |
 | HK16086N8J-T | 6.8nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 220 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | HK16086N8J-T.pdf | |
 | HCPL-2530#300 | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 2 Channel 8-SMD | HCPL-2530#300.pdf | |
 | RMCP2010JT5R60 | RES SMD 5.6 OHM 5% 1W 2010 | RMCP2010JT5R60.pdf | |
 | CRM2512-JZ-R060ELF | RES SMD 0.06 OHM 5% 2W 2512 | CRM2512-JZ-R060ELF.pdf | |
 | XBP9B-DMWT-022 | RF TXRX MODULE ISM<1GHZ WIRE ANT | XBP9B-DMWT-022.pdf |
