창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4634DY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI4634DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.2m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.6V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3150pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 5.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4634DY-T1-GE3TR SI4634DYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI4634DY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4634D, SI4634DY-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
4SEPC560MW | 560µF 4V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 7 mOhm 5000 Hrs @ 105°C | 4SEPC560MW.pdf | ||
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VJ1825A391KBEAT4X | 390pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825A391KBEAT4X.pdf | ||
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Y14961K39000F9W | RES SMD 1.39K OHM 1% 0.15W 1206 | Y14961K39000F9W.pdf | ||
E3FB-BN11 2M | BRASS M18,TRANS,0.5M,AX,NPN,PW | E3FB-BN11 2M.pdf |