창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4668DY-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI4668DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.5m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.6V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1654pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI4668DY-T1-E3 | |
관련 링크 | SI4668D, SI4668DY-T1-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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C2012C0G2W151K060AA | 150pF 450V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012C0G2W151K060AA.pdf | ||
C4BSPBX4120ZAJJ | 1.2µF Film Capacitor 630V 1200V (1.2kV) Polypropylene (PP), Metallized Rectangular Box 1.673" L x 1.102" W (42.50mm x 28.00mm) | C4BSPBX4120ZAJJ.pdf | ||
MKP383156063JCI2B0 | 560pF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.118" W (10.00mm x 3.00mm) | MKP383156063JCI2B0.pdf | ||
BFC237514563 | 0.056µF Film Capacitor 300V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.276" W (26.00mm x 7.00mm) | BFC237514563.pdf | ||
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TRR18EZPF4640 | RES SMD 464 OHM 1% 1/4W 1206 | TRR18EZPF4640.pdf | ||
ERA-8AEB121V | RES SMD 120 OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8AEB121V.pdf | ||
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