창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4668DY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI4668DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.5m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.6V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1654pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4668DY-T1-GE3TR SI4668DYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI4668DY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4668D, SI4668DY-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | 0239.750H | FUSE GLASS 750MA 250VAC 5X20MM | 0239.750H.pdf | |
![]() | ASG-D-V-A-200.000MHZ | 200MHz LVDS VCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 40mA Enable/Disable | ASG-D-V-A-200.000MHZ.pdf | |
![]() | SL1215-221K1R0-PF | 220µH Unshielded Wirewound Inductor 1A 260 mOhm Max Radial | SL1215-221K1R0-PF.pdf | |
![]() | PCF0402PR-100RBT1 | RES SMD 100 OHM 0.1% 1/16W 0402 | PCF0402PR-100RBT1.pdf | |
![]() | RL2512FK-070R07L | RES SMD 0.07 OHM 1% 1W 2512 | RL2512FK-070R07L.pdf | |
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![]() | TNPW040284R5BETD | RES SMD 84.5 OHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW040284R5BETD.pdf | |
![]() | RC12JB200K | RES 200K OHM 1/2W 5% AXIAL | RC12JB200K.pdf | |
![]() | CMF6011K000CEEK | RES 11K OHM 1W .25% AXIAL | CMF6011K000CEEK.pdf |