Vishay BC Components SI4812BDY-T1-E3

SI4812BDY-T1-E3
제조업체 부품 번호
SI4812BDY-T1-E3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
Datesheet 다운로드
다운로드
SI4812BDY-T1-E3 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 533.74464
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SI4812BDY-T1-E3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI4812BDY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4812BDY-T1-E3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SI4812BDY-T1-E3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SI4812BDY-T1-E3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SI4812BDY-T1-E3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SI4812BDY
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
카탈로그 페이지 1657 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열LITTLE FOOT®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C7.3A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs16m옴 @ 9.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs13nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds-
전력 - 최대1.4W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 2,500
다른 이름SI4812BDY-T1-E3TR
SI4812BDYT1E3
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SI4812BDY-T1-E3
관련 링크SI4812B, SI4812BDY-T1-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor
SI4812BDY-T1-E3 의 관련 제품
3.3µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 85°C 50MS53.3MEFC4X5.pdf
560µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 4 Lead 200 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 85°C B43510A5567M87.pdf
620pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) 0603YA621JAT2A.pdf
1.5µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) C1210C155K4RACTU.pdf
150pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) C1210C151JCGACTU.pdf
48MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable ASFLMPC-48.000MHZ-Z-T.pdf
560nH Shielded Wirewound Inductor 5.5A 25 mOhm Max Nonstandard SRP4012-R56M.pdf
25µH Shielded Toroidal Inductor 12.8A 8 mOhm Max Radial PTKM25-894.pdf
Logic Output Optoisolator 10MBd Open Collector, Schottky Clamped 3750Vrms 1 Channel 10kV/µs CMTI 5-SO HCPL-M611-500E.pdf
RES SMD 18.2K OHM 0.1% 1/8W 0805 RNCF0805BTE18K2.pdf
RES 909 OHM 1/2W 1% AXIAL CMF55909R00FKEA70.pdf
PTC Thermistor 560 Ohm 0805 (2012 Metric) TFPT0805L5600JZ.pdf