Vishay BC Components SI4814BDY-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SI4814BDY-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI4814BDY-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 884.01440
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI4814BDY-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI4814BDY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4814BDY-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI4814BDY-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI4814BDY-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI4814BDY-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SI4814BDY | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | LITTLE FOOT® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A, 10.5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 3.3W, 3.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI4814BDY-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI4814BD, SI4814BDY-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SI4814BDY-T1-GE3 의 관련 제품
 | 06031C272KAT2A | 2700pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031C272KAT2A.pdf | |
 | 12103A681GAT2A | 680pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 12103A681GAT2A.pdf | |
 | 142.5631.5402 | FUSE AUTO 40A 58VDC AUTO LINK | 142.5631.5402.pdf | |
 | 1.5KE130C-B | TVS DIODE 111VWM 187.95VC AXIAL | 1.5KE130C-B.pdf | |
 | FL1840007 | 18.432MHz ±20ppm 수정 18pF 70옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FL1840007.pdf | |
 | 416F37435IKR | 37.4MHz ±30ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37435IKR.pdf | |
 | SIT8008AI-72-18S-22.579200D | OSC XO 1.8V 22.5792MHZ ST | SIT8008AI-72-18S-22.579200D.pdf | |
 | BZT52C9V1-G3-18 | DIODE ZENER 9.1V 410MW SOD123 | BZT52C9V1-G3-18.pdf | |
| 2150R-36G | 33µH Unshielded Molded Inductor 305mA 1.5 Ohm Max Axial | 2150R-36G.pdf | |
.jpg) | RT0805WRC0722KL | RES SMD 22K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRC0722KL.pdf | |
 | CRCW12063R60FNEA | RES SMD 3.6 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12063R60FNEA.pdf | |
 | ACS714ELCTR-30A-T | Current Sensor 30A 1 Channel Hall Effect, Open Loop Bidirectional 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | ACS714ELCTR-30A-T.pdf |
