창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4838DY-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI4838DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 25A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 600mV @ 250µA(최소) | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4838DY-T1-E3TR SI4838DYT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI4838DY-T1-E3 | |
관련 링크 | SI4838D, SI4838DY-T1-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | 36501JR15JTDG | 150nH Unshielded Wirewound Inductor 280mA 950 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | 36501JR15JTDG.pdf | |
![]() | MY4ZH-US DC12 | General Purpose Relay 4PDT (4 Form C) 12VDC Coil Socketable | MY4ZH-US DC12.pdf | |
![]() | ERA-8APB1271V | RES SMD 1.27K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8APB1271V.pdf | |
![]() | MCR006YZPF2000 | RES SMD 200 OHM 1% 1/20W 0201 | MCR006YZPF2000.pdf | |
![]() | RT1210BRD0736K5L | RES SMD 36.5K OHM 0.1% 1/4W 1210 | RT1210BRD0736K5L.pdf | |
![]() | CMF6061R900FKEB | RES 61.9 OHM 1W 1% AXIAL | CMF6061R900FKEB.pdf | |
![]() | MS46SR-30-1745-Q1-15X-10R-NC-F | SYSTEM | MS46SR-30-1745-Q1-15X-10R-NC-F.pdf | |
![]() | F20B090053600060 | THERM NO 90C LEAD FRAME 2SIP | F20B090053600060.pdf |