Vishay BC Components SI4862DY-T1-GE3

SI4862DY-T1-GE3
제조업체 부품 번호
SI4862DY-T1-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 16V 17A 8-SOIC
Datesheet 다운로드
다운로드
SI4862DY-T1-GE3 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,971.89000
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SI4862DY-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI4862DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4862DY-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SI4862DY-T1-GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SI4862DY-T1-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SI4862DY-T1-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SI4862DY
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)16V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C17A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs3.3m옴 @ 25A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)600mV @ 250µA(최소)
게이트 전하(Qg) @ Vgs70nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds-
전력 - 최대1.6W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 2,500
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SI4862DY-T1-GE3
관련 링크SI4862D, SI4862DY-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor
SI4862DY-T1-GE3 의 관련 제품
1.1pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) 201R07S1R1CV4T.pdf
1200pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) K122K10X7RH5UL2.pdf
0.1µF Film Capacitor 100V Polyester, Polyethylene Naphthalate (PEN), Metallized - Stacked 2416 (6041 Metric) 0.236" L x 0.161" W (6.00mm x 4.10mm) ECW-U1104JC9.pdf
1500pF Film Capacitor 200V 400V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked Radial 0.394" L x 0.098" W (10.00mm x 2.50mm) B32520C6152K189.pdf
33µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 6.3V 2910 (7227 Metric) 0.285" L x 0.104" W (7.24mm x 2.65mm) 195D336X06R3Y2T.pdf
TVS DIODE 58.1VWM 121VC DO201 1.5KE68CA.pdf
MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56 FDMS3606S.pdf
47µH Unshielded Wirewound Inductor 188mA 3.36 Ohm Max Axial 70F475AI-RC.pdf
RES SMD 14.3K OHM 1% 1/4W 1206 CRCW120614K3FKEA.pdf
RES SMD 27 OHM 5% 1/20W 0201 ERJ-1GNJ270C.pdf
RES SMD 820 OHM 5% 1/2W 1210 AC1210JR-07820RL.pdf
RES SMD 62 OHM 0.05% 1/10W 0603 RT0603WRD0762RL.pdf