창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4874BDY-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI4874BDY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 16A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3230pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4874BDY-T1-E3TR SI4874BDYT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI4874BDY-T1-E3 | |
관련 링크 | SI4874B, SI4874BDY-T1-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | 2512R-122H | 1.2µH Unshielded Inductor 1.39A 210 mOhm Max 2-SMD | 2512R-122H.pdf | |
![]() | G2AK-232AY AC100 | RELAY GENERAL PURPOSE | G2AK-232AY AC100.pdf | |
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![]() | MCT06030D5622BP100 | RES SMD 56.2KOHM 0.1% 1/10W 0603 | MCT06030D5622BP100.pdf | |
![]() | RN73C1J23R2BTG | RES SMD 23.2 OHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J23R2BTG.pdf | |
![]() | MNR18E0APJ512 | RES ARRAY 8 RES 5.1K OHM 1506 | MNR18E0APJ512.pdf | |
![]() | H4P7K15DZA | RES 7.15K OHM 1W 0.5% AXIAL | H4P7K15DZA.pdf | |
![]() | P51-200-S-AD-MD-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Sealed Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-200-S-AD-MD-4.5V-000-000.pdf |