Vishay BC Components SI4932DY-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SI4932DY-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI4932DY-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 700.54000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI4932DY-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI4932DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4932DY-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI4932DY-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI4932DY-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI4932DY-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SI4932DY | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1750pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 3.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI4932DY-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI4932D, SI4932DY-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SI4932DY-T1-GE3 의 관련 제품
 | CGS173U040R3C | 17000µF 40V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 25 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | CGS173U040R3C.pdf | |
 | 170155J160ME | 1.5µF Film Capacitor 90V 160V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.472" Dia x 1.102" L (12.00mm x 28.00mm) | 170155J160ME.pdf | |
 | 0297010.WXNV | FUSE AUTO 10A 32VDC BLADE MINI | 0297010.WXNV.pdf | |
 | BK/AGC-V-30-R | FUSE GLASS 30A 32VAC 3AB 3AG | BK/AGC-V-30-R.pdf | |
 | SIT8008AIR1-18E | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 3.9mA Enable/Disable | SIT8008AIR1-18E.pdf | |
 | BAV19WS-HE3-08 | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323 | BAV19WS-HE3-08.pdf | |
.jpg) | CRGH1206J3R9 | RES SMD 3.9 OHM 5% 1/2W 1206 | CRGH1206J3R9.pdf | |
 | RG1608N-7322-D-T5 | RES SMD 73.2KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608N-7322-D-T5.pdf | |
| RG3216P-6340-B-T5 | RES SMD 634 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-6340-B-T5.pdf | |
 | HMC549MS8GTR | RF Amplifier IC 40MHz ~ 960MHz 8-MSOPG | HMC549MS8GTR.pdf | |
| E6B2-CWZ6C-6 600P/R 5M | INC 40MM DIA A/B/Z 5-24VDC NPN | E6B2-CWZ6C-6 600P/R 5M.pdf | |
| E2E2-X10Y2-US | Inductive Proximity Sensor 0.394" (10mm) IP67, NEMA 1,4,6,12,13 Cylinder, Threaded - M30 | E2E2-X10Y2-US.pdf |
