Vishay BC Components SI5410DU-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SI5410DU-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI5410DU-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
13150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 504.09216
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI5410DU-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI5410DU-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5410DU-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI5410DU-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI5410DU-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI5410DU-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SI5410DU | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 6.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1350pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 31W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® CHIPFET™ 단일 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® ChipFet 단일 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI5410DU-T1-GE3TR SI5410DUT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI5410DU-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI5410D, SI5410DU-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SI5410DU-T1-GE3 의 관련 제품
 | C0603Y561K5RACTU | 560pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603Y561K5RACTU.pdf | |
 | VJ0603D101JXXAR | 100pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D101JXXAR.pdf | |
 | WMF1D56K-F | 5600pF Film Capacitor 65V 100V Polyester Axial 0.189" Dia x 0.563" L (4.80mm x 14.30mm) | WMF1D56K-F.pdf | |
.jpg) | 293D105X0050C2TE3 | 1µF Molded Tantalum Capacitors 50V 2312 (6032 Metric) 4.6 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | 293D105X0050C2TE3.pdf | |
 | FOXSLF/080-20 | 8MHz ±30ppm 수정 20pF 80옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | FOXSLF/080-20.pdf | |
 | MA-506 10.0000M-B3: ROHS | 10MHz ±50ppm 수정 16pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-506 10.0000M-B3: ROHS.pdf | |
 | SS2003M-TL-W | DIODE SCHOTTKY 30V 2A 6MCPH | SS2003M-TL-W.pdf | |
 | BLM8G0710S-15PBGY | FET RF 2CH 65V 957.5MHZ 16HSOP | BLM8G0710S-15PBGY.pdf | |
 | HS300 10R J | RES CHAS MNT 10 OHM 5% 300W | HS300 10R J.pdf | |
.jpg) | KTR03EZPF1501 | RES SMD 1.5K OHM 1% 1/10W 0603 | KTR03EZPF1501.pdf | |
| CPL-5211-10-NNN-79 | RF Directional Coupler 1GHz ~ 2GHz 10dB ± 1dB 50W N-Type In-Line Module | CPL-5211-10-NNN-79.pdf | |
| P51-50-G-I-M12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Vented Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-50-G-I-M12-4.5V-000-000.pdf |
