Vishay BC Components SI5414DC-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SI5414DC-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI5414DC-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 340.38567
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI5414DC-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI5414DC-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5414DC-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI5414DC-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI5414DC-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI5414DC-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SI5414DC | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17m옴 @ 9.9A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1500pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 6.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | 1206-8 ChipFET™ | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI5414DC-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI5414D, SI5414DC-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SI5414DC-T1-GE3 의 관련 제품
 | LQSW6221MELB30 | 220µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | LQSW6221MELB30.pdf | |
 | S271K25X7RP6UK5R | 270pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 방사형, 디스크 | S271K25X7RP6UK5R.pdf | |
 | SR201C823KAA | 0.082µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR201C823KAA.pdf | |
 | 1812HC222JAT1A | 2200pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812HC222JAT1A.pdf | |
| MKP1837322163 | 0.022µF Film Capacitor 100V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.295" L x 0.217" W (7.50mm x 5.50mm) | MKP1837322163.pdf | |
| MKP385575016JKP2T0 | 7.5µF Film Capacitor 110V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.240" L x 0.709" W (31.50mm x 18.00mm) | MKP385575016JKP2T0.pdf | |
 | AV-12.288MFHV-T | 12.288MHz ±15ppm 수정 8pF 120옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | AV-12.288MFHV-T.pdf | |
.jpg) | 4N27S(TB) | Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-SMD | 4N27S(TB).pdf | |
.jpg) | RT1206FRD0723R2L | RES SMD 23.2 OHM 1% 1/4W 1206 | RT1206FRD0723R2L.pdf | |
.jpg) | RT2512FKE0722R1L | RES SMD 22.1 OHM 1% 3/4W 2512 | RT2512FKE0722R1L.pdf | |
 | CRCW2512158KFKEGHP | RES SMD 158K OHM 1% 1.5W 2512 | CRCW2512158KFKEGHP.pdf | |
 | CMF55215R00FHEK | RES 215 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55215R00FHEK.pdf |
