Vishay BC Components SI5457DC-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SI5457DC-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 20V 6A CHIPFET
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI5457DC-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
4150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 185.32800
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI5457DC-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI5457DC-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5457DC-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI5457DC-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI5457DC-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI5457DC-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SI5457DC | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 36m옴 @ 4.9A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1000pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 5.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | 1206-8 ChipFET™ | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI5457DC-T1-GE3-ND SI5457DC-T1-GE3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI5457DC-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI5457D, SI5457DC-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SI5457DC-T1-GE3 의 관련 제품
 | CBR08C360G5GAC | 36pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CBR08C360G5GAC.pdf | |
 | GRM1887U1H6R3DZ01D | 6.3pF 50V 세라믹 커패시터 U2J 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1887U1H6R3DZ01D.pdf | |
 | ECW-H12912HVB | 9100pF Film Capacitor 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.295" W (18.00mm x 7.50mm) | ECW-H12912HVB.pdf | |
 | BFC242013603 | 0.036µF Film Capacitor 160V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.236" W (12.50mm x 6.00mm) | BFC242013603.pdf | |
| 0805R-621J | 620nH Unshielded Wirewound Inductor 210mA 2.2 Ohm Max 2-SMD | 0805R-621J.pdf | |
.jpg) | RE1206FRE07178RL | RES SMD 178 OHM 1% 1/4W 1206 | RE1206FRE07178RL.pdf | |
.jpg) | AT0805DRE071K87L | RES SMD 1.87K OHM 0.5% 1/8W 0805 | AT0805DRE071K87L.pdf | |
| ERJ-L1WUF80MU | RES SMD 0.08 OHM 1% 1W 2512 | ERJ-L1WUF80MU.pdf | |
 | RCP2512B1K10GED | RES SMD 1.1K OHM 2% 22W 2512 | RCP2512B1K10GED.pdf | |
| H4P6K2FCA | RES 6.20K OHM 1W 1% AXIAL | H4P6K2FCA.pdf | |
| CW010R6200JE733 | RES 0.62 OHM 13W 5% AXIAL | CW010R6200JE733.pdf | |
 | CPR10R3900KE10 | RES 0.39 OHM 10W 10% RADIAL | CPR10R3900KE10.pdf |
