Vishay BC Components SI5457DC-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SI5457DC-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 20V 6A CHIPFET
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI5457DC-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
4150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 185.32800
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI5457DC-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI5457DC-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5457DC-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI5457DC-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI5457DC-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI5457DC-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SI5457DC | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 36m옴 @ 4.9A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1000pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 5.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | 1206-8 ChipFET™ | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI5457DC-T1-GE3-ND SI5457DC-T1-GE3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI5457DC-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI5457D, SI5457DC-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SI5457DC-T1-GE3 의 관련 제품
 | TAJD337K010RNJ | 330µF Molded Tantalum Capacitors 10V 2917 (7343 Metric) 900 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TAJD337K010RNJ.pdf | |
 | 199D225X5020AXV1E3 | 2.2µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 20V Radial 0.173" Dia (4.40mm) | 199D225X5020AXV1E3.pdf | |
 | 824540901 | TVS DIODE 90VWM 146VC DO214AB | 824540901.pdf | |
 | ASTMHTFL-106.250MHZ-XK-E-T3 | 106.25MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTFL-106.250MHZ-XK-E-T3.pdf | |
 | DRQ73-1R5-R | Shielded 2 Coil Inductor Array 5.928µH Inductance - Connected in Series 1.482µH Inductance - Connected in Parallel 13.2 mOhm DC Resistance (DCR) - Parallel 4.64A Nonstandard | DRQ73-1R5-R.pdf | |
 | 511R-34F | 3.6µH Unshielded Wirewound Inductor 325mA 2.15 Ohm Max Axial | 511R-34F.pdf | |
 | PF2272-5RJ1 | RES CHAS MNT 5 OHM 5% 200W | PF2272-5RJ1.pdf | |
 | RMCF0805FG1K78 | RES SMD 1.78K OHM 1% 1/8W 0805 | RMCF0805FG1K78.pdf | |
.jpg) | AF1210FR-0761K9L | RES SMD 61.9K OHM 1% 1/2W 1210 | AF1210FR-0761K9L.pdf | |
.jpg) | AT0805CRD07430RL | RES SMD 430 OHM 0.25% 1/8W 0805 | AT0805CRD07430RL.pdf | |
 | NBPMPNS030PAUNV | Pressure Sensor 30 PSI (206.84 kPa) Absolute 0 mV ~ 105 mV (5V) 4-SMD, J-Lead, Top Port | NBPMPNS030PAUNV.pdf | |
| P51-100-G-I-M12-5V-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Vented Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-100-G-I-M12-5V-000-000.pdf |
