Vishay BC Components SI5458DU-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SI5458DU-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI5458DU-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 268.72567
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI5458DU-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI5458DU-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5458DU-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI5458DU-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI5458DU-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI5458DU-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SI5458DU | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 41m옴 @ 7.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 325pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 10.4W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-PowerPak® CHIPFET™ | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PowerPak® ChipFet | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI5458DU-T1-GE3TR SI5458DUT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI5458DU-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI5458D, SI5458DU-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SI5458DU-T1-GE3 의 관련 제품
 | ESMQ451ELL100MJ20S | 10µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | ESMQ451ELL100MJ20S.pdf | |
 | SLP182M100C7P3 | 1800µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 147 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 105°C | SLP182M100C7P3.pdf | |
 | CGS672U150U4C | 6700µF 150V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 22 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | CGS672U150U4C.pdf | |
.jpg) | CC0603JRNPO9BN222 | 2200pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CC0603JRNPO9BN222.pdf | |
 | LD055C152KAB2A | 1500pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | LD055C152KAB2A.pdf | |
| MR055A472JAA | 4700pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.190" L x 0.090" W(4.83mm x 2.28mm) | MR055A472JAA.pdf | |
| SIT9120AC-2D2-25E148.500000Y | OSC XO 2.5V 148.5MHZ | SIT9120AC-2D2-25E148.500000Y.pdf | |
SOT89.jpg) | BZV49-C5V1,115 | DIODE ZENER 5.1V 1W SOT89 | BZV49-C5V1,115.pdf | |
 | STP18NM60N | MOSFET N-CH 600V 13A TO-220 | STP18NM60N.pdf | |
 | NFZ32BW700HN10L | 70 Ohm Impedance Ferrite Bead 2-SMD, Flat Lead Surface Mount 700mA 1 Lines 456 mOhm Max DCR -40°C ~ 125°C | NFZ32BW700HN10L.pdf | |
 | SDR0604-820KL | 82µH Unshielded Wirewound Inductor 580mA 600 mOhm Max Nonstandard | SDR0604-820KL.pdf | |
 | CC2560ANYFVT | IC RF TxRx Only Bluetooth Bluetooth v4.0 2.4GHz 54-BGA, DSBGA | CC2560ANYFVT.pdf |
