Vishay BC Components SI5486DU-T1-GE3

SI5486DU-T1-GE3
제조업체 부품 번호
SI5486DU-T1-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
Datesheet 다운로드
다운로드
SI5486DU-T1-GE3 가격 및 조달

가능 수량

10150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 504.09216
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SI5486DU-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI5486DU-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5486DU-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SI5486DU-T1-GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SI5486DU-T1-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SI5486DU-T1-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SI5486DU
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C12A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs15m옴 @ 7.7A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs54nC(8V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2100pF @ 10V
전력 - 최대31W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-PowerPak® CHIPFET™
공급 장치 패키지8-PowerPak® ChipFet
표준 포장 3,000
다른 이름SI5486DU-T1-GE3TR
SI5486DUT1GE3
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SI5486DU-T1-GE3
관련 링크SI5486D, SI5486DU-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor
SI5486DU-T1-GE3 의 관련 제품
7.4pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) GRM0225C1E7R4BDAEL.pdf
0.40pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) VJ0603D0R4VXPAJ.pdf
470pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) C0603C471G1GACTU.pdf
10µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 비표준 SMD 0.236" L x 0.197" W(6.00mm x 5.00mm) CKG57KX7R1E106K335JH.pdf
620pF Film Capacitor 250V 630V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.217" Dia x 0.433" L (5.50mm x 11.00mm) MKP1839162631G.pdf
50MHz ±10ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US ABLS2-50.000MHZ-B1U-T.pdf
40MHz ±20ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F40025CDR.pdf
100µH Shielded Toroidal Inductor 4.6A 53 mOhm Max Radial 2100HT-101-H-RC.pdf
Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 1 Channel TLP521XGB.pdf
RES SMD 6.8M OHM 5% 1/8W 0805 CRCW08056M80JNEA.pdf
RES 56.2 OHM 0.6W 1% AXIAL MBB02070C5629FC100.pdf
Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder P51-1000-A-Y-I36-5V-000-000.pdf