창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI5517DU-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI5517DU | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 39m옴 @ 4.4A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(8V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 520pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 8.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® CHIPFET™ 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® ChipFet 이중 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI5517DU-T1-GE3TR SI5517DUT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI5517DU-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI5517D, SI5517DU-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
![]() | B43454A5158M | 1500µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 111 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 85°C | B43454A5158M.pdf | |
![]() | C1210C106J3RACAUTO | 10µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C1210C106J3RACAUTO.pdf | |
![]() | STTH810D | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AC | STTH810D.pdf | |
![]() | 7447462100 | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 2.5A 80 mOhm Max Radial | 7447462100.pdf | |
![]() | 3186Y30K75777AT | RELAY CONTACTOR | 3186Y30K75777AT.pdf | |
![]() | RMCF1206FT23K2 | RES SMD 23.2K OHM 1% 1/4W 1206 | RMCF1206FT23K2.pdf | |
![]() | RNF14FTD27K4 | RES 27.4K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTD27K4.pdf | |
![]() | WHBR50FET | RES 0.5 OHM 1W 1% AXIAL | WHBR50FET.pdf | |
![]() | PPN100FT-52-0R8 | RES 0.8 OHM 1W 1% AXIAL | PPN100FT-52-0R8.pdf | |
![]() | WW3AJT130R | RES 130 OHM 3W 5% AXIAL | WW3AJT130R.pdf | |
![]() | 44507-0736 | REPLACEMENT ACT MA-36 SS | 44507-0736.pdf | |
TSOP4838 | PH.MODULE 38KHZ S.VIEW | TSOP4838.pdf |