창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI5902BDC-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI5902BDC | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 3.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 220pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3.12W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
공급 장치 패키지 | 1206-8 ChipFET™ | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI5902BDC-T1-E3 | |
관련 링크 | SI5902B, SI5902BDC-T1-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
![]() | GRM033R71A472MA01D | 4700pF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM033R71A472MA01D.pdf | |
![]() | 251R15S3R6DV4E | 3.6pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.080" L x 0.050" W(2.03mm x 1.27mm) | 251R15S3R6DV4E.pdf | |
![]() | AQ149M181FAJME | 180pF 300V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ149M181FAJME.pdf | |
![]() | SMAJ6.5CAHE3/61 | TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC SMA | SMAJ6.5CAHE3/61.pdf | |
![]() | STPS2H100A | DIODE SCHOTTKY 100V 2A SMA | STPS2H100A.pdf | |
![]() | CMOZ6V2 BK | DIODE ZENER 6.2V 300MW SOD523 | CMOZ6V2 BK.pdf | |
![]() | SRR1280-102K | 1mH Shielded Wirewound Inductor 680mA 1.7 Ohm Max Nonstandard | SRR1280-102K.pdf | |
![]() | TL88K220R | RES CHAS MNT 220 OHM 10% 114W | TL88K220R.pdf | |
![]() | ERA-8AEB6650V | RES SMD 665 OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8AEB6650V.pdf | |
![]() | CPF0805B2K67E1 | RES SMD 2.67KOHM 0.1% 1/10W 0805 | CPF0805B2K67E1.pdf | |
![]() | CMF6029K400FKEB | RES 29.4K OHM 1W 1% AXIAL | CMF6029K400FKEB.pdf | |
![]() | H81K37FDA | RES 1.37K OHM 1/4W 1% AXIAL | H81K37FDA.pdf |