Vishay BC Components SI6913DQ-T1-GE3

SI6913DQ-T1-GE3
제조업체 부품 번호
SI6913DQ-T1-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP
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내부 부품 번호EIS-SI6913DQ-T1-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SI6913DQ
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 P-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)12V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C4.9A
Rds On(최대) @ Id, Vgs21m옴 @ 5.8A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)900mV @ 400µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs28nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds-
전력 - 최대830mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭)
공급 장치 패키지8-TSSOP
표준 포장 3,000
다른 이름SI6913DQ-T1-GE3TR
SI6913DQT1GE3
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)SI6913DQ-T1-GE3
관련 링크SI6913D, SI6913DQ-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor
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