창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI6926ADQ-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Si6926ADQ | |
카탈로그 페이지 | 1658 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.1A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 4.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 830mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-TSSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI6926ADQ-T1-GE3TR SI6926ADQT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI6926ADQ-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI6926AD, SI6926ADQ-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
UPW2D3R3MPD1TD | 3.3µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C | UPW2D3R3MPD1TD.pdf | ||
VJ0402D0R6CLBAC | 0.60pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R6CLBAC.pdf | ||
3413.0117.22 | FUSE BOARD MNT 1.5A 32VAC 63VDC | 3413.0117.22.pdf | ||
SMDJ36 | TVS DIODE 36VWM 61.01VC SMD | SMDJ36.pdf | ||
ESH3B-E3/57T | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | ESH3B-E3/57T.pdf | ||
CZRB5363B-HF | DIODE ZENER 30V 5W SMB | CZRB5363B-HF.pdf | ||
IMC1210ERR39K | 390nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 450 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210ERR39K.pdf | ||
PATT0805E7502BGT1 | RES SMD 75K OHM 0.1% 1/5W 0805 | PATT0805E7502BGT1.pdf | ||
TRR03EZPJ225 | RES SMD 2.2M OHM 5% 1/10W 0603 | TRR03EZPJ225.pdf | ||
AC2010FK-0737K4L | RES SMD 37.4K OHM 1% 3/4W 2010 | AC2010FK-0737K4L.pdf | ||
RSMF12FB4R70 | RES MO 1/2W 4.7OHM 1% AXL | RSMF12FB4R70.pdf | ||
Y0101830R000F9L | RES 830 OHM 1W 1% RADIAL | Y0101830R000F9L.pdf |