창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7100DN-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI7100DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 8V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5m옴 @ 15A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 105nC(8V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3810pF @ 4V | |
전력 - 최대 | 52W | |
작동 온도 | -50°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7100DN-T1-E3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI7100DN-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7100D, SI7100DN-T1-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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06035C561KAT7A | 560pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035C561KAT7A.pdf | ||
WKP392MCPEJ0KR | 3900pF 760VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.630" Dia(16.00mm) | WKP392MCPEJ0KR.pdf | ||
VJ1825A223KBAAT4X | 0.022µF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825A223KBAAT4X.pdf | ||
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AT0805CRD076K65L | RES SMD 6.65KOHM 0.25% 1/8W 0805 | AT0805CRD076K65L.pdf | ||
ROX2SJ220R | RES 220 OHM 2W 5% AXIAL | ROX2SJ220R.pdf | ||
MBB02070C8459FRP00 | RES 84.5 OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C8459FRP00.pdf | ||
MCP2030A-I/SL | Passive Entry/Start, TPMS IC 125kHz SPI 2 V ~ 3.6 V 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | MCP2030A-I/SL.pdf |